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2N7000-G

厂商名称：Microchip

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N通道，60 V，200 mA，5 ohm，TO-92，通孔

英文描述：

N-Channel 60 V 200mA(Tj)1W(Tc)Through Hole TO-92-3.

数据手册：

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2N7000-G概述

60V，5欧姆，N通道，增强模式，垂直DMOS FET
无二次击穿
低功率驱动要求
易于并联
低CISS和快速开关速度
优异的热稳定性
一体化源-漏二极管
高输入阻抗和高增益

2N7000-G中文参数

制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装/箱体:TO-92-3

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:200 mA

Rds On-漏源导通电阻:5 Ohms

Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV

Qg-栅极电荷:-

最小工作温度:-55 C

最大工作温度:+150 C

Pd-功率耗散:400 mW

配置:Single

正向跨导-最小值:100 mmho

2N7000-G引脚图